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制造商产品编号AS5F38G04SND-08LIN
库存编号4261002
技术数据表
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数量 | 价钱 (含税) |
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10+ | CNY108.050 (CNY122.0965) |
25+ | CNY108.010 (CNY122.0513) |
50+ | CNY107.970 (CNY122.0061) |
100+ | CNY105.820 (CNY119.5766) |
250+ | CNY103.660 (CNY117.1358) |
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产品信息
制造商产品编号AS5F38G04SND-08LIN
库存编号4261002
技术数据表
闪存类型NAND
存储密度8Gbit
记忆配置1G x 8位
接口SPI
IC 外壳 / 封装LGA
针脚数8引脚
时钟频率最大值120MHz
存取时间-
电源电压最小值3V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3.3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3.3V SPI NAND Flash Memories
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
AS5F38G04SND-08LIN 是一款串行外设接口 (SPI) NAND 闪存。SPI NAND 为嵌入式系统的高密度非易失性存储器存储解决方案提供了一种低成本、低引脚数的解决方案,以替代 SPI-NOR。SPI NAND 是一种闪存设备,采用标准并行 NAND 的 SLC NAND。其串行电气接口遵循行业标准的串行外设接口。命令集与 SPI-NOR 命令集类似。为处理特定于 NAND 的功能做了一些修改。此外,还增加了新功能以扩展应用。SPI NAND 共有 8 个引脚数,包括 6 条信号线以及 VCC 和 GND。密度为 1Gbit 至 8Gbit。串行 NAND 的每个区块被细分为 64 个可编程页面。每个页面由一个数据存储区和一个备用区组成。数据存储区用于存储用户编程数据,备用区通常用于存储器管理和纠错功能。
- 单级单元 (SLC) NAND 闪存,OTP 保护,64 页可一次性编程
- 页面编程时间:600us,页面读取时间:70us(页面大小为 2K),页面读取时间:140us(页面大小为 4K)
- 25mA 读操作电流/编程操作电流
- 擦除操作电流为 30mA,最大待机电流为 120uA
- 耐用性,P/E 周期:超过 60,000 次/周期,数据保存 10 年
- 电源电压为 3.3V,8G 位密度
- 四 SPI 总线宽度
- 120MHz 速度
- LGA-8封装
- 工业级温度范围: -40°C到85°C
技术规格
闪存类型
NAND
记忆配置
1G x 8位
IC 外壳 / 封装
LGA
时钟频率最大值
120MHz
电源电压最小值
3V
额定电源电压
3.3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3.3V SPI NAND Flash Memories
存储密度
8Gbit
接口
SPI
针脚数
8引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001031