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AS6C1008-55SIN
SRAM, 异步, 1 Mbit, 128K x 8位, SOP, 32 引脚, 2.7 V
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| 50+ | CNY19.180 (CNY21.6734) |
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产品信息
制造商产品编号AS6C1008-55SIN
库存编号4260913
技术数据表
SRAM类型异步
存储密度1Mbit
记忆配置128K x 8位
IC 外壳 / 封装SOP
针脚数32引脚
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
AS6C1008-55SIN is a 1,048,57 6-bit low power CMOS static random access memory organized as 131,072 words by 8bits. It is fabricated using very high performance, high reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. It is well designed for very low power system applications, and particularly well suited for battery back-up non-volatile memory application.
- Access time is 55ns
- Low power consumption, 10mA typ operating current, 1µA typ standby current
- Single 2.7V to 5.5V power supply
- Fully compatible with all competitors 5V and 3.3V product
- Fully static operation, tri-state output
- Data retention voltage is 1.5V minimum
- 128K x 8 organization
- 32 pin 450mil SOP package
- Industrial operating temperature range from -40°C to 85°C
技术规格
SRAM类型
异步
记忆配置
128K x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
存储密度
1Mbit
IC 外壳 / 封装
SOP
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
MSL
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005685