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25+ | CNY44.440 (CNY50.2172) |
50+ | CNY43.420 (CNY49.0646) |
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产品信息
制造商产品编号AS6C4008-55PCN
库存编号4260915
技术数据表
SRAM类型异步
存储密度4Mbit
记忆配置512K x 8位
IC 外壳 / 封装DIP
针脚数32引脚
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装通孔安装
工作温度最小值0°C
工作温度最高值70°C
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
AS6C4008-55PCN is a 4,194,304-bit low power CMOS static random access memory organized as 524,288 words by 8bits. It is fabricated using very high performance, high reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. It is well designed for very low power system applications, and particularly well suited for battery back-up non-volatile memory application. It operates from a single power supply of 2.7V to 5.5V and all inputs and outputs are fully TTL compatible.
- Access time is 55ns
- Low power consumption: 30mA (typ) operating current, 4µA (typ) standby current
- All outputs TTL compatible
- Fully static operation, tri-state output
- Data retention voltage is 1.5V (minimum)
- 512k x 8 organization, 5V VCC
- 32pin 600mil DIP package
- Commercial operating temperature range from 0°C to 70°C
- Minimum data retention voltage of 1.5V
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
技术规格
SRAM类型
异步
记忆配置
512K x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
DIP
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
芯片安装
通孔安装
工作温度最高值
70°C
MSL
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.012575