打印页面
AS6C4008-55ZIN
SRAM, 异步, 4 Mbit, 512K x 8位, TSOP-II, 32 引脚, 2.7 V
131 有货
需要更多？
131 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY37.760 (CNY42.6688) |
| 10+ | CNY35.180 (CNY39.7534) |
| 25+ | CNY33.570 (CNY37.9341) |
| 50+ | CNY32.150 (CNY36.3295) |
| 100+ | CNY30.710 (CNY34.7023) |
| 250+ | CNY30.090 (CNY34.0017) |
| 500+ | CNY29.480 (CNY33.3124) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY37.76 (CNY42.67 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商产品编号AS6C4008-55ZIN
库存编号4260918
技术数据表
SRAM类型异步
存储密度4Mbit
记忆配置512K x 8位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数32引脚
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
AS6C4008-55ZIN is a 4,194,304-bit low power CMOS static random access memory organized as 524,288 words by 8bits. It is fabricated using very high performance, high reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. It is well designed for very low power system applications, and particularly well suited for battery back-up non-volatile memory application. It operates from a single power supply of 2.7V to 5.5V and all inputs and outputs are fully TTL compatible.
- Access time is 55ns
- Low power consumption: 30mA (typ) operating current, 4µA (typ) standby current
- All outputs TTL compatible
- Fully static operation, tri-state output
- Data retention voltage is 1.5V (minimum)
- 512k x 8 organization, 5V VCC
- 32-pin 400mil TSOP 11 package
- Industrial operating temperature range from -40°C to 85°C
技术规格
SRAM类型
异步
记忆配置
512K x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003238