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AS6C6416-55TIN
SRAM, 异步, 64 Mbit, 4M x 16位, TSOP-I, 48 引脚, 2.7 V
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产品信息
制造商产品编号AS6C6416-55TIN
库存编号4260924
技术数据表
SRAM类型异步
存储密度64Mbit
记忆配置4M x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-I
针脚数48引脚
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
AS6C6416-55TIN is a 64Mbits (4Mx16) low-power CMOS SRAM. It is a 67,108,864-bit low-power CMOS static random access memory organized as 4,194,304 words by 16bits or 8,388,608 words by 8bits. It is fabricated using very high-performance, high-reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. It is well designed for low-power applications, and particularly well suited for battery backup non-volatile memory applications.
- Fast access time is 55ns
- Low power consumption: 12mA (typ) operating current, 12µA(typ) standby current
- Single 2.7V to 3.6V power supply
- All inputs and outputs TTL compatible
- Fully static operation, tri-state output
- Data retention voltage is 1.2V (minimum)
- 48-pin TSOP I package
- Operating temperature range from -40°C to +85°C
- Output leakage current is 1µA maximum (VCC ≧ VOUT ≧ VSS, output disabled)
技术规格
SRAM类型
异步
记忆配置
4M x 16位
针脚数
48引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
64Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-I
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003668