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AS6C8008-55ZIN
SRAM, 异步, 8 Mbit, 1024K x 8位, TSOP-II, 44 引脚, 2.7 V
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|---|---|
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| 10+ | CNY51.640 (CNY58.3532) |
| 25+ | CNY49.290 (CNY55.6977) |
| 50+ | CNY48.260 (CNY54.5338) |
| 100+ | CNY47.230 (CNY53.3699) |
| 250+ | CNY45.990 (CNY51.9687) |
| 500+ | CNY44.800 (CNY50.624) |
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产品信息
制造商产品编号AS6C8008-55ZIN
库存编号4260920
技术数据表
SRAM类型异步
存储密度8Mbit
记忆配置1024K x 8位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
AS6C8008-55ZIN is a 1024K X 8bit super low power CMOS SRAM. It is an 8,388,608-bit low-power CMOS static random access memory organized as 1,048,576 words by 8bits. It is fabricated using very high-performance, high-reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. It is well designed for very low-power system applications, and particularly well suited for battery backup non-volatile memory applications.
- Fast access time : 55ns
- Low power consumption: 30mA (typical) operating current, 6µA (typ) standby current
- Single 2.7V to 5.5V power supply
- All inputs and outputs TTL compatible
- Fully static operation, tri-state output
- Data retention voltage is 1.5V (minimum)
- 44pin TSOP II package
- Industrial operating temperature range from -40°C to 85°C
技术规格
SRAM类型
异步
记忆配置
1024K x 8位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
8Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00292