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AS7C34096A-10TIN
SRAM, 异步, 4 Mbit, 512K x 8位, TSOP-II, 44 引脚, 3 V
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| 50+ | CNY34.160 (CNY38.6008) |
| 100+ | CNY31.740 (CNY35.8662) |
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产品概述
AS7C34096A-10TIN 是一款高性能 CMOS 4,194,304 位静态随机存取存储器 (SRAM) 器件，按 524,288 字 × 8 位组织。它专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的存储器应用而设计。等效地址访问和周期时间（tAA、tRC、tWC）为 10/12/15/20 ns，输出使能访问时间（tOE）为 4/5/6/7 ns，是高性能应用的理想之选。芯片使能输入 CE 允许使用多组存储器系统轻松扩展存储器。当低电平有效 CE 为高电平时，器件进入待机模式。该器件保证在 CMOS 待机模式下功耗不超过 28.8mW。所有芯片输入和输出均兼容 TTL，工作电压为 3.3V。
- 组织结构524 288 字×8 位，中心电源和接地引脚
- 高速、平等访问和周期时间
- 功耗低，10ns 工作时最大 650mW，CMOS 待机时最大 28.8mW
- 通过低电平有效 CE 和低电平有效 OE 输入，轻松扩展存储器
- TTL 兼容、三态 I/O
- ESD 保护 ≥ 2000 伏特
- 锁存电流 ≥ 200mA
- 访问时间为 10ns
- TSOP2封装
- 工业温度范围: -40°C到85°C
技术规格
SRAM类型
异步
记忆配置
512K x 8位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
3V
额定电源电压
3.3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002945