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AS7C34096A-12JCN
SRAM, 异步, 4 Mbit, 512K x 8位, SOJ, 36 引脚, 3 V
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY42.640 (CNY48.1832) |
| 10+ | CNY37.870 (CNY42.7931) |
| 25+ | CNY37.600 (CNY42.488) |
| 50+ | CNY37.340 (CNY42.1942) |
| 100+ | CNY36.450 (CNY41.1885) |
| 250+ | CNY35.900 (CNY40.567) |
| 500+ | CNY35.340 (CNY39.9342) |
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多件: 1
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产品概述
AS7C34096A-12JCN 是一款高性能 CMOS 4,194,304 位静态随机存取存储器 (SRAM) 器件，按 524,288 字 × 8 位组织。它专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的存储器应用而设计。等效地址访问和周期时间（tAA、tRC、tWC）为 10/12/15/20 ns，输出使能访问时间（tOE）为 4/5/6/7 ns，是高性能应用的理想之选。芯片使能输入 CE 允许使用多组存储器系统轻松扩展存储器。当低电平有效 CE 为高电平时，器件进入待机模式。该器件保证在 CMOS 待机模式下功耗不超过 28.8mW。所有芯片输入和输出均兼容 TTL，工作电压为 3.3V。
- 组织结构524 288 字×8 位，中心电源和接地引脚
- 高速、平等访问和周期时间
- 功耗低，10ns 工作时最大 650mW，CMOS 待机时最大 28.8mW
- 通过低电平有效 CE 和低电平有效 OE 输入，轻松扩展内存
- TTL 兼容、三态 I/O
- ESD 保护 ≥ 2000 伏特
- 锁存电流 ≥ 200mA
- 访问时间为 12ns
- SOJ 400 密耳封装
- 商业温度范围从0℃到70℃
技术规格
SRAM类型
异步
记忆配置
512K x 8位
针脚数
36引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
SOJ
电源电压最小值
3V
额定电源电压
3.3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
70°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003099