ADG1223BRMZ

ADG1223是一款单片互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包含四个独立的可选择开关，是在iCMOS（工业CMOS）工艺上设计的。 iCMOS是一种结合了高压CMOS和双极技术的模块化制造工艺。该器件包含两个独立的单刀/单掷（SPST）开关。该器件的一个开关具有与ADG1221类似的数字控制逻辑；另一个开关的逻辑是反转的。该器件表现出先断后续的开关动作，可用于多路复用器应用。每个开关在开启时都能在两个方向上平等地传导，并有一个延伸到电源的输入信号范围。在关闭状态下，直到电源的信号电平被阻断。它被广泛用于自动测试设备、数据采集系统、电池供电系统、采样保持系统、音频信号路由、视频信号路由、通信系统等应用。

• 在（VS = 0V, RS = 0 ohm, CL = 1nF）时，电荷注入为0.1pC（典型值，双电源）
• 在（VDD=15V±10%，VSS=-15V±10%，GND=0V）时，关断电容为1.7pF（典型值）
• 在（VS=±10V，VD=±10V）时，关漏电流为±0.002nA（典型值）
• 在(VS = ±10V, IS = -1mA)时，导通电阻为120 ohm（典型值）
• 无需VL电源，3V逻辑兼容输入
• 轨至轨运行
• 电源电压范围: 35V
• 在（RL = 50 ohm, CL = 1pF）时，550MHz典型值为-3dB带宽
• 工作温度: -40°C到+125°C
• 封装方式为10引脚迷你小外形(MSOP)

注释

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