ADR435BRMZ-R7

ADR435 系列是 XFET® 电压基准系列，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用 Analog Devices, Inc.的温度漂移曲率校正和额外的植入式结 FET（XFET）技术，器件 中的电压变化与温度的非线性达到了最小化。与埋入式齐纳基准相比，XFET基准的工作电流更低（800µA），电源电压余量更低（2V）。埋入式齐纳基准需要超过5V的净空才能工作。该器件XFET基准是5V系统的低噪声解决方案。它能够提供高达30mA的输出电流和高达-20mA的汇流。它还配备了一个微调端子，可在±0.5%的范围内调整输出电压，而不影响性能。应用包括精密数据采集系统、高分辨率数据转换器、医疗仪器、工业过程控制系统、光学控制电路和精密仪器。可采用8引脚SOIC_N封装。

• 超低噪声的XFET电压基准，具有拉电流与灌电流能力
• 宽温范围: -40°C到+125°C
• 宽工作范围: 7V到18V
• 5V输出电压（典型值），±2mV/±0.04%初始精度，3ppm/°C温度系数封装
• 无需外部电容器
• 在VIN=7V至18V时，线路调节为20ppm/V，-40℃ <lt/> TA <lt/> +125℃
• 在IL=0mA至10mA，VIN=8V，-40°C <lt/> TA <lt/> +125°C时，负载调节为15ppm/mA
• 低噪音（0.1Hz至10Hz）为8μV p-p
• 在CL=0µF时，开启稳定时间为10µs
• 8引脚MSOP封装

注释

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