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ADR435TRZ-EP
电压基准IC，3ppm/°C，5V，2mV，系列，NSOIC-8，-55°C至125°C
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|---|---|
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| 10+ | CNY86.720 (CNY97.9936) |
| 98+ | CNY84.230 (CNY95.1799) |
| 196+ | CNY84.060 (CNY94.9878) |
| 294+ | CNY83.980 (CNY94.8974) |
| 588+ | CNY83.890 (CNY94.7957) |
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产品信息
制造商产品编号ADR435TRZ-EP
库存编号4031070
产品范围ADR431-EP Series
技术数据表
电压基准类型串行
产品范围ADR431-EP Series
参考电压最小值4.998V
参考电压最大值5.002V
初始精度2mV
温度系数3ppm/°C
IC 外壳 / 封装NSOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
输入电压最大值18V
工作温度最小值-55°C
工作温度最高值125°C
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
汽车质量标准-
参考电压5V
电压基准封装形式NSOIC
产品概述
ADR435-EP是一款低噪声XFET电压基准，具有灌流和拉流能力。这款XFET®电压基准具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用Analog Devices, Inc.的专利温度漂移曲率校正和XFET技术，该器件的电压变化与温度的非线性关系降到最低。与埋入式齐纳基准相比，XFET基准的工作电流更低（800μA），电源电压余量更低（2V）。埋入式齐纳基准需要超过5V裕量才能运行。该基准是5V系统的最佳低噪声解决方案。该器件有能力提供高达+10mA的输出电流和高达-10mA的拉流。它还带有一个微调终端，可以在0.5%的范围内调整输出电压而不影响性能。典型的应用包括精密数据采集系统、高分辨率数据转换器、光学控制电路和精密仪器。
- 不需要外部电容，高输出拉电流和灌电流为+10mA和-10mA
- 负载调节最大为15ppm/mA，线路调节最大为20ppm/V
- 支持国防和航空航天应用，符合航空航天合格电子元件（AQEC）标准
- 军用温度范围从-55°C到+125°C，控制制造基线
- 一个组装和测试现场，一个制造现场
- 5V输出电压，±2.0mV精度，最大3ppm/℃温度系数
- 电压噪声为8µV p-p（0.1Hz至10Hz），1KHz时电压噪声密度为115nV/√Hz
- 工作电源电压范围: 7V到18V
- 在fIN=1KHz时，纹波抑制率为-70dB，在CL=0µF时，开启稳定时间为10µs
- 8引脚SOIC-N封装
注释
ADI 产品仅授权（和销售）给客户使用，不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
电压基准类型
串行
参考电压最小值
4.998V
初始精度
2mV
IC 外壳 / 封装
NSOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最小值
-55°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
参考电压
5V
产品范围
ADR431-EP Series
参考电压最大值
5.002V
温度系数
3ppm/°C
针脚数
8引脚
输入电压最大值
18V
工作温度最高值
125°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
汽车质量标准
-
电压基准封装形式
NSOIC
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001