ADR445BRZ

ADR445是一款超低噪声的LDO XFET电压基准，带有灌流/源流功能。该电压基准具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用Analog Devices, Inc.的温度漂移曲率校正和额外的植入式结FET（XFET）技术，该器件的电压变化与温度的非线性关系被大大降低了。XFET基准比埋入式齐纳基准具有更好的噪声性能，XFET基准在低电源电压余量（500mV）下工作。这些特点的结合使得该器件非常适合于高端数据采集系统、光网络和医疗应用中的精密信号转换应用。应用包括精密数据采集系统、高分辨率数据转换器、电池供电的仪器、便携式医疗仪器、工业过程控制系统、精密仪器和光学控制电路。

• 电源电压工作范围为5.5V至18V
• 高输出拉电流与灌电流分别为+10mA和−5mA
• 典型输出电压为5V，初始精度为±2mV/0.04%（VIN=5.5V至18V，TA=25℃）
• 在-40°C <lt/> TA <lt/> +125°C时，温度系数为3ppm/°C（最大值）
• 在fIN=1KHz，VIN=5.5V至18V，TA=25℃时，纹波抑制比为-80dB
• 在0.1Hz至10Hz，VIN=5.5V至18V，TA=25°C时，电压噪声为2.25µV p-p
• 在VIN=5.5V至18V，TA=25°C时，启动沉降时间为10µs
• 线路调节最大为+20ppm/V (-40°C <lt/> TA <lt/> +125°C)
• 负载调节为±50ppm/mA (ILAD = 0mA至-5mA, VIN = 6.5 V, -40℃ <lt/> TA <lt/> +125℃)
• 8引脚SOIC_N封装，-40℃至+125℃温度范围

注释

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