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DS1225AD-70IND+
非易失随机存储器 (NVRAM), SRAM, 64 Kbit, 8K x 8位, 70 ns, EDIP
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 12+ | CNY200.030 (CNY226.0339) |
| 36+ | CNY192.330 (CNY217.3329) |
| 108+ | CNY184.760 (CNY208.7788) |
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产品信息
制造商产品编号DS1225AD-70IND+
库存编号2516503
技术数据表
存储器类型SRAM
存储器容量64Kbit
NVRAM 内存配置8K x 8位
芯片接口类型-
存取时间70ns
封装类型EDIP
针脚数28引脚
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025)
产品概述
DS1225AD-70IND+ 是一款64K非易失性SRAM, 28引脚EDIP封装。这款65536 bit, 全静态非易失性SRAM采用8192 words x 8 bit结构。这款NV SRAM具有独立的锂电源和控制电路, 可连续检测VCC是否超出允许范围。在这种情况下, 锂电源会自动开启, 并且无条件启用写入保护, 以防止数据损坏。NV SRAM可以代替8K x 8 SRAM, 采用流行的28引脚DIP封装。该器件与2764 EPROM和2864 EEPROM引脚布局兼容, 可以直接替换, 并提高性能。写入周期没有限制, 连接微处理器不需要额外的支持电路。
- 电源电压范围4.5V至5.5V
- 工作温度范围: -40°C到85°C
- 断电时自动保护数据
- 可替代8K x 8易失性静态RAM或EEPROM
- 无限写入周期
- 低功耗CMOS
- 读写访问时间: 70ns
- 锂能源断开, 保持新鲜度, 直到第一次通电
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
注释
ADI 产品仅授权（和销售）给客户使用，不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
存储器类型
SRAM
NVRAM 内存配置
8K x 8位
存取时间
70ns
针脚数
28引脚
电源电压最大值
5.5V
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
存储器容量
64Kbit
芯片接口类型
-
封装类型
EDIP
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.014969