HMC194AMS8ETR

HMC194AMS8E 是一种低成本 SPDT 开关。它适用于需要在两个射频路径之间实现高隔离度的应用。该器件可控制直流至 3GHz 的信号，并经过优化，可在中低功率应用中提供极高的隔离度和最小的插入损耗。芯片电路允许在极低的直流电流下进行正电压控制操作，控制输入与 CMOS 和大多数 TTL 逻辑系列兼容。RF1 和 RF2 在"关断"时为反射开路。它被广泛应用于蜂窝/PCS 基站、便携式无线、MMDS 和无线局域网等应用。

• 典型插入损耗为 0.5dB（DC - 2GHz，TA=+25°C，Vctl=0/+5Vdc）
• 在（DC - 1GHz、TA = +25°C、Vctl = 0/+5Vdc）时，典型隔离度为 55dB
• 典型回波损耗为 26dB（DC - 2GHz，TA = +25°C，Vctl = 0/+5Vdc）
• 在（0.5GHz 至 3GHz，TA = +25° C，Vctl = 0/+5 Vdc）时，1dB 压缩的输入功率为 28dBm（典型值）
• 在（0.5GHz至3GHz，TA = +25° C，Vctl = 0/+5 Vdc）时，输入三阶截距的典型值为 53dBm
• 开关特性为 3ns（典型值，DC - 3GHz，TA = +25°C，Vctl = 0/+3 至 +8Vdc）
• 工作温度: -40°C到+85°C
• 封装方式为MSOP8

注释

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