HMC219BMS8GE

HMC219B 是一款超小型通用双平衡混频器。这款无源单片微波集成电路 (MMIC) 混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造，无需外部元件或匹配电路。该器件可用作 2.5GHz 至 7GHz 的上变频器、下变频器、双相解调器或相位比较器。由于采用了优化的平衡器结构，它具有出色的本地振荡器（LO）与射频（RF）隔离和 LO 与中频（IF）隔离性能。它无需接线，与大批量表面贴装制造技术兼容。它可用于微波无线电、高性能无线局域网（HiperLAN）和未授权国家信息基础设施（U-NII）、工业、科学和医疗（ISM）等应用。

• 在（TA = 25°C，IF = 100MHz ）时，转换损耗为 9dB（典型值）
• 在（TA=25°C，IF = 100MHz）时，LO至RF的隔离度为 40dB（典型值）
• 在（TA=25°C，IF = 100MHz）时，LO至IF的隔离度为 35dB（典型值）
• 在（TA=25°C，IF = 100MHz）时，RF至IF的隔离度为 22dB（典型值）
• 在（TA = 25°C，IF = 100MHz）时，输入 IP3 为 18dBm（典型值）
• 在TA = 25°C，IF = 100MHz 时，输入 P1dB 为 11dBm（典型值）
• 在（TA = 25°C、IF = 100MHz）时，输入 IP2 为 55dBm（典型值）
• 无源双平衡拓扑结构
• 工作温度: -40°C到+85°C
• 封装方式为8引脚MINI-SO-EP

注释

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