HMC435AMS8GETR

HMC435AMS8GE 是一款非反射式 DC 至 4GHz GaAs MESFET SPDT 开关。该开关是蜂窝/3G 和 WiMAX/4G 应用的理想之选，具有高达 60dB 的隔离度、低 0.8dB 插入损耗和 +50dBm 输入 IP3。该开关在 3.8GHz WiMAX 频段内具有出色的功率处理能力，P1dB 压缩为 +30dBm。片上电路可在极低的直流电流下实现 0V/+5Volts 的正电压控制。它被广泛应用于基站和中继器、基础设施和接入点、CATV/CMTS、测试仪器等。

• 典型插入损耗为 0.8dB（DC - 2.5GHz，TA=+25°C，Vctl=0/+5Vdc）
• 在（DC - 1GHz、TA = +25°C、Vctl = 0/+5Vdc 时，隔离度（RFC 至 RF1/RF2）典型值为 62dB
• 在（0.5GHz至4GHz ，TA= +25°C，Vdd= 0/+5Vdc）时，1dB 压缩的输出功率为 30dBm（典型值）
• 典型输入三阶截距为 54dBm（0.5GHz到1GHz，TA=+25°C，Vctl=0/+5Vdc）
• 在（DC - 4GHz、TA = +25°C、Vctl = 0/+5Vdc）时，开关速度为 40ns（典型值）
• 工作温度: -40°C到+85°C
• 封装方式为超小型 MSOP-86

注释

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