HMC443LP4ETR

HMC443LP4E 是一款采用 InGaP GaAs HBT 技术的有源微型 x4 倍频器。5V 电源电压下的典型输出功率为 +4dBm，并且与输入功率、温度和电源电压的关系不大。相对于输出信号电平，对不需要的基谐波和次谐波的抑制典型值<gt/>25dBc。在 100KHz 偏移时，SSB 相位噪声的加法值较低，为 -142dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。该器件非常适合用于 LO 倍增器链，与传统方法相比，可减少零件数量。它被广泛应用于光纤、点对点无线电、军用雷达等领域。

• 在（TA = +25°C, Vcc= 5V）时，典型输入回波损耗为 15dB
• 在（TA = +25°C，Vcc = 5V）时，输出回波损耗为 8dB（典型值）
• 在（TA = +25°C, Vcc = 5V）时，电源电流为 52mA（典型值）
• 工作温度: -40°C到+85°C
• 封装方式为24引脚SMT

注释

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