HMC521ALC4

HMC521ALC4 是一款结构紧凑的砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）同相正交（I/Q）混频器。该器件既可用作图像抑制混频器，也可用作单边带上变频器。混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个 90° 混合耦合器，采用砷化镓金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造。该器件体积更小，可替代混合式图像抑制混频器和单边带上变频组件。它无需导线接合，允许使用表面贴装制造技术。它被广泛应用于微波和甚小口径终端 (VSAT) 无线电、测试设备、军事电子战 (EW)、电子对抗 (ECM) 以及指挥、控制、通信和情报 (C3I) 等领域。

• 射频（RF）引脚频率范围为 8.5GHz 至 13.5GHz
• 在（8.5 GHz至 13.5 GHz，TA = 25°C，IF = 100MHz ）时，转换损耗为 9dB（典型值）
• 在（8.5 千兆赫至 13.5 千兆赫，TA = 25°C，IF = 100MHz ）时，图像抑制为 27.5dBc（典型值）
• 在（8.5 GHz至 13.5 GHz，TA = 25°C，IF = 100MHz ）时，LO至RF的隔离度为 39dB（典型值）
• 在（8.5GHz 至 13.5GHz，TA = 25°C，IF = 100MHz）时，输入 IP3 16dBm（典型值）
• 宽 IF 带宽：DC 至 3.5GHz
• 工作温度: -40°C到+85°C
• 封装方式为24引脚陶瓷无引线芯片载体 [LCC]

注释

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