HMC524ALC3B

HMC524ALC3B 是一款紧凑型砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）同相正交（I/Q）混频器。该器件既可用作图像抑制混频器，也可用作单边带上行转换器。混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个 90° 混合耦合器，采用砷化镓金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造。低频正交混合器可产生 100MHz 的中频输出。与混合式图像抑制混频器和单边带上行转换器组件相比，该器件体积更小。它无需接线，允许使用表面贴装制造技术。应用包括点对点无线电、点对多点无线电和 VSAT、测试设备和传感器、军事终端用途。

• 射频（RF）引脚频率范围为 22 至 32GHz（TA=25°C，IF=100MHz，LO 驱动电平=17dBm）
• 最大中间频率引脚为 DC 至 4.5GHz（TA=25°C，IF=100MHz，LO 驱动电平=17dBm）
• 本地振荡器引脚范围为 22 至 32GHz（TA=25°C，IF=100MHz，LO 驱动电平=17dBm）
• 典型 LO 驱动电平为 17dBm（TA=25°C，IF=100MHz，LO 驱动电平=17dBm）
• 典型转换损耗为 9dB（TA=25°C，IF=100MHz，LO 驱动电平=17dBm，下变频器）
• 典型输入 1dB 压缩点为 17dBm（TA=25°C，IF=100MHz，LO 驱动电平=17dBm）
• 典型噪声系数为 15dB（使用 LO 放大器时，TA=25°C，IF=100MHz，LO 驱动电平=17dBm）
• 典型转换损耗为 6dB（TA=25°C，IF=100MHz，LO 驱动电平=17dBm，上变频器）
• 典型边带抑制为 26dB（TA=25°C，IF=100MHz，LO 驱动电平=17dBm）
• 12引脚LCC封装，工作温度范围为-40°C至+85°C

注释

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