HMC525ALC4TR

HMC525ALC4 是一款紧凑型砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）同相正交（I/Q）混频器。该器件既可用作图像抑制混频器，也可用作单边带 (SSB) 上变频器。混频器采用两个标准双平衡混频器单元和一个 90° 混合器，以砷化镓金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造。这种混合式图像剔除混频器和 SSB 上变频组件的体积要小得多。它不需要线键合，允许使用表面贴装制造技术。应用包括微波和甚小孔径终端无线电、测试设备、点对点无线电、军事电子战、电子对抗，以及指挥、控制、通信和情报。

• 射频频率范围为 4 至 8.5GHz（LO=15dBm，IF=100MHz，TA=25°C）
• 典型 LO 振幅为 15dBm（LO=15dBm，IF=100MHz，TA=25°C）
• 典型转换损耗为 8dB（LO=15dBm，IF=100MHz，TA=25°C）
• 典型噪声系数为 8dB（LO=15dBm，IF=100MHz，TA=25°C）
• 典型输入三阶截距 (IP3) 为 20dBm（LO=15dBm，IF=100MHz，TA=25°C）
• 典型相位为 2 度（LO=15dBm，IF=100MHz，TA=25°C）
• 典型振幅为 0.05dB（LO=15dBm，IF=100MHz，TA=25°C）
• 典型噪声系数为 7.5dB（LO=15dBm，IF=100MHz，TA=25°C）
• 24引脚陶瓷 LCC 封装
• 温度范围: -40°C到+85°C

注释

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