HMC558ALC3BTR

HMC558A 是一款通用型双平衡混频器，采用无引线 SMT 封装，可用作上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造，无需外部元件或匹配电路。由于采用了优化的平衡器结构，因此具有出色的 LO 至 RF 和 LO 至 IF 隔离性能，LO 驱动电平可低至 9dBm。应用包括点对点微波无线电、点对多点无线电、军事终端应用、仪器仪表、自动测试设备 (ATE) 和传感器。

• 射频频率范围为 5.5 至 14GHz（LO 驱动电平=15dBm，TA=25°C，IF=100MHz）
• IF 频率范围为 DC 至 6GHz（LO 驱动电平=15dBm，TA=25°C，IF=100MHz）
• 典型转换损耗为 7.5dB（LO 驱动电平=15dBm，TA=25°C，IF=100MHz）
• 典型单边带 (SSB) 噪声系数为 7.5dB（LO 驱动电平=15dBm，TA=25°C，IF=100MHz）
• 典型转换损耗为 8.5dB（LO 驱动电平=15dBm，TA=25°C，IF=100MHz）
• 典型输入 1dB 压缩点 (IP1dB) 为 10dBm（LO 驱动电平=15dBm，TA=25°C，IF=100MHz）
• 典型射频到中频隔离度为 16dB（LO 驱动电平=15dBm，TA=25°C，中频=100MHz）
• 无源双平衡拓扑结构
• 12引脚陶瓷无引线芯片载体[LCC]封装
• 工作温度范围: -40°C到+85°C

注释

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