HMC575LP4E

HMC575LP4E 是一款采用 GaAs PHEMT 技术的 x2 有源宽带倍频器。该频率倍增器具有直流阻断 I/O，非常适合用于铂对铂和 VSAT 无线电的 LO 倍增器链，与传统方法相比可减少零件数量。在 100KHz 偏移时，SSB 相位噪声的加法值低至 -140dBc/Hz ，有助于保持良好的系统噪声性能。它与表面贴装制造技术兼容。典型应用包括无线本地环路、点对点和 VSAT 无线电、测试仪器、军事和航天。

• 频率范围为 3 至 4.5GHz（输入，Fo、TA = +25°C、Vdd1、Vdd2 = +5V，3dBm）
• 频率范围为 6 至 9GHz（输出，TA = +25°C，Vdd1、Vdd2 = +5V，3dBm）
• 输出功率为 17dBm（典型值，TA = +25°C，Vdd1、Vdd2 = +5V，3dBm）
• Fo 隔离（相对于输出电平）为 15dBc（典型值，TA = +25°C，Vdd1、Vdd2 = +5V，3dBm）
• 3Fo 隔离（相对于输出电平）为 15dBc（典型值，TA = +25°C，Vdd1，Vdd2 = +5V，3dBm）
• 输入回波损耗为 15dB（典型值，TA = +25°C，Vdd1、Vdd2 = +5V，3dBm）
• 输出回波损耗为 12dB（典型值，TA = +25°C，Vdd1、Vdd2 = +5V，3dBm）
• SSB 相位噪声（100KHz 偏移）为 -140dBc/Hz（典型值，TA = +25°C，Vdd1，Vdd2 = +5V，3dBm）
• 电源电流（Idd1 和 Idd2）为 90mA（典型值，TA = +25°C，Vdd1、Vdd2 = +5V，3dBm）
• 24引脚QFN-EP封装，工作温度范围为-40至+85℃

注释

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