HMC784AMS8GETR

HMC784AMS8GE 是一款高功率 SPDT 开关。它适用于在高输入信号功率电平下要求极低失真的发射接收应用。该器件可控制从直流到 4GHz 的信号。其设计具有卓越的互调性能；在 +5V 偏置下，<gt/> +60 dBm 三阶截获。RF1 和 RF2 在"关断"时为反射短路。片上电路允许以极低的直流电流在 +3Vdc 至 +8Vdc 范围内单正电源工作，控制输入与 CMOS 逻辑系列兼容。它被广泛应用于蜂窝/4G 基础设施、WiMAX、WiBro 和固定无线、汽车远程信息处理、移动无线电、测试设备等领域。

• 典型插入损耗为 0.3dB（DC - 1GHz，TA = +25°C，Vctl = 0/Vdd，Vdd = +5V）
• 在（DC - 4GHz、TA = +25°C、Vctl = 0/Vdd、Vdd = +5V）时，典型隔离度为 28dB
• 在（DC - 1GHz、TA = +25°C、Vctl = 0/Vdd、Vdd = +5V）时，回波损耗（导通状态）的典型值为 30dB
• 在（1GHz - 4GHz，TA=3.8GHz）时，0.1dB 压缩的输入功率为 31dBm（典型值）
• 在（0.02 GHz - 0.1 GHz，TA = +25°C ）时，输入三阶截距为 61dBm（典型值）
• 在（DC - 4GHz、TA = +25°C、Vctl = 0/Vdd、Vdd = +5V）时，开关特性的为 82ns（典型值）
• 工作温度: -40°C到+85°C
• 封装方式为MSOP8G

注释

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