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| 32+ | CNY68.810 (CNY77.7553) |
| 128+ | CNY60.230 (CNY68.0599) |
| 256+ | CNY59.030 (CNY66.7039) |
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| 1024+ | CNY57.040 (CNY64.4552) |
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产品信息
制造商产品编号LT1162CSW#PBF
库存编号4018519
技术数据表
通道数4放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置全桥
电源开关类型MOSFET
针脚数24引脚
IC 外壳 / 封装WSOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流-
灌电流-
电源电压最小值10V
电源电压最大值15V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
输入延迟250ns
输出延迟300ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
LT®1162 是一款高性价比的全桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。该浮动驱动器可驱动在高达 60V 的高压 (HV) 轨道上运行的顶置 N 沟道功率 MOSFET。内部逻辑防止输入端同时开启半桥的功率MOSFET。其独特的针对击穿电流的自适应保护消除了对两个MOSFET的所有匹配要求。这大大简化了高效电机控制和开关稳压器系统的设计。在低电源或启动条件下,欠压锁定会主动将驱动器输出拉低,以防止功率MOSFET被部分打开。0.5V迟滞允许可靠的操作,即使是缓慢变化的电源。典型的应用是大电流电感负载的PWM,半桥和全桥电机控制,同步降压开关稳压器,3相无刷电机驱动,大电流传感器驱动器,D类功率放大器。
- 浮动式顶部驱动器开关高达60V
- 驱动高于负载HV电源的顶部N沟道MOSFET的栅极
- 自适应非重叠栅极驱动防止直通电流
- 高占空比下的顶部驱动保护,TTL/CMOS输入电平
- 带滞后的欠压锁定,独立的顶部和底部驱动引脚
- 直流电源电流最大为15mA(V+=15V,VINTOP=0.8V,VINBOTTOM=2V)
- 输入电流最大为25µA(VINTOP=VINBOTTOM=4V,TA=25℃,V+=VBOOST=12V,VTSOURCE=0V,CGATE=3000pF)
- 24引脚塑料SO宽封装
- 商业工作温度范围:0°C至70°C
注释
ADI 产品仅授权(和销售)给客户使用,不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
通道数
4放大器
驱动配置
全桥
针脚数
24引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
-
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
250ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
WSOIC
输入类型
非反向
灌电流
-
电源电压最大值
15V
工作温度最高值
85°C
输出延迟
300ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001