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| 10+ | CNY40.450 (CNY45.7085) | 
| 25+ | CNY35.240 (CNY39.8212) | 
| 100+ | CNY29.360 (CNY33.1768) | 
| 300+ | CNY25.970 (CNY29.3461) | 
| 500+ | CNY25.560 (CNY28.8828) | 
| 1000+ | CNY25.050 (CNY28.3065) | 
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商产品编号LTC1693-1IS8#PBF
库存编号4018542
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧或低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装NSOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流1.4A
灌电流1.7A
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值13.2V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
输入延迟40ns
输出延迟35ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
LTC1693-1 是一款高速双 N 沟道 MOSFET 驱动器。该器件包含两个非反转驱动器。这种双路驱动器是电隔离的、独立的。所有 MOSFET 驱动器都提供独立于 VCC 的 CMOS 输入阈值,具有 1.2V 的典型迟滞。它们可以将输入逻辑信号向上或向下平移至外部MOSFET的轨至轨VCC驱动。该器件包含一个欠压锁定电路和一个热关断电路,在激活时可禁用外部N沟道MOSFET栅极驱动。它被广泛应用于电源、高/低端驱动器、电机/继电器控制、线路驱动器、充电泵等应用。
- GND1-GND2隔离电阻为1G ohm(典型值)
- 1.5A峰值输出电流
- 在VCC=12V,CL=1nF时,上升/下降时间为16ns
- 电源电压范围: 4.5V到13.2V
- 具有迟滞功能的CMOS兼容输入,输入阈值与VCC无关
- 低电压锁定,热关断
- 静态电流为720µA(典型值)
- 工作温度: -40°C到85°C
- 封装方式为8引脚塑料SO
注释
ADI 产品仅授权(和销售)给客户使用,不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧或低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
1.4A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
40ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
NSOIC
输入类型
非反向
灌电流
1.7A
电源电压最大值
13.2V
工作温度最高值
85°C
输出延迟
35ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000367