LTC1982ES6#TRMPBF

LTC1982 是一款低功率、独立的 N 沟道 MOSFET 驱动器。一个内部电压三端器允许在不使用任何外部元件的情况下驱动栅极。低静态电流和低关断电流（低于 1µA）使该器件成为电池和其它功率受限系统的理想选择。宽广的输入电压范围可满足各种电池/输入配置的需要。栅极驱动被内部钳制在7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高压侧或低压侧模式下驱动。它广泛用于蜂窝电话、便携式POS终端、手持式电池供电设备等应用。

• 内部电压三极管为逻辑电平场效应管产生高侧栅极驱动
• 在（GATE 1和GATE 2输出为高电平）时，电源电流为17µA（典型值）
• 工作电源电压范围: 1.8V到5.5V
• 关断期间栅极驱动输出被驱动到接地
• GDR延迟为2µs（典型值）
• 超小型应用电路
• GDR迟滞为2%（典型值）
• 电荷泵振荡器频率为600KHz
• 工作温度: -40°C到85°C
• 封装方式为6引脚塑料SOT-23

注释

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