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LTC4352IDD#PBF
理想二极管控制器，低电压，2.9 至 18 V，-40至85摄氏度，DFN-EP-12
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| 25+ | CNY34.410 (CNY38.8833) |
| 121+ | CNY33.830 (CNY38.2279) |
| 363+ | CNY33.240 (CNY37.5612) |
| 605+ | CNY32.650 (CNY36.8945) |
| 1089+ | CNY32.640 (CNY36.8832) |
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产品信息
制造商产品编号LTC4352IDD#PBF
库存编号4025511
技术数据表
芯片功能理想二极管控制器
电源电压最小值2.9V
电源电压最大值18V
集成电路封装类型DFN-EP
针脚数12引脚
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
LTC4352 是一款具有监控功能的低压理想二极管控制器。它利用一个外部 N 沟道 MOSFET 来创建一个接近理想的二极管。它取代了一个高功率肖特基二极管和相关的散热器，从而节省了功率和电路板面积。理想二极管的功能允许低损耗的电源ORing和电源保持应用。它可以调节MOSFET上的正向压降，以确保在diodeOR应用中平稳的电流传输。快速开启减少了电源切换期间的负载电压下降。如果输入电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流降至最低。该控制器还具有一个MOSFET开路检测电路，在开启状态下标志着通过晶体管上的过度压降。REV引脚可启用反向电流，在需要时重写二极管。它被广泛用于冗余电源、电源保持、电信基础设施、计算机系统和服务器等应用中。
- 输入工作范围: 2.9V到18V
- 控制N沟道MOSFET
- 外部VCC电源电流为1.25mA（典型值）
- 低损耗替代方案，用于功率二极管
- VCC欠压锁定滞后为70mV（典型值）
- 开启和关断时间最大为0.5μs
- 状态和故障输出，热插拔
- 工作温度: -40°C到85°C
- 封装方式为12引脚塑料DFN
注释
ADI 产品仅授权（和销售）给客户使用，不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
芯片功能
理想二极管控制器
电源电压最大值
18V
针脚数
12引脚
工作温度最高值
85°C
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
电源电压最小值
2.9V
集成电路封装类型
DFN-EP
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001