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25+ | CNY34.770 (CNY39.2901) |
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250+ | CNY26.580 (CNY30.0354) |
500+ | CNY26.450 (CNY29.8885) |
1000+ | CNY26.380 (CNY29.8094) |
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产品信息
制造商产品编号LTC4357HDCB#TRMPBF
库存编号4025537
技术数据表
芯片功能理想二极管控制器
电源电压最小值9V
电源电压最大值80V
集成电路封装类型DFN-EP
针脚数6引脚
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
LTC4357 是一款正高压理想二极管控制器,可驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。当用于二极管-OR 和高电流二极管应用时,LTC4357 可降低功耗、热耗散、电压损失和 PC 板面积。LTC4357 可轻松地OR电源,以提高系统的总体可靠性。在二极管-OR应用中,LTC4357控制着MOSFET上的正向压降,以确保电流从一个路径平滑地传输到另一个路径,而不发生振荡。如果电源发生故障或被短路,一个快速关断可将反向电流瞬变降至最低。应用包括 N + 1 冗余电源、高可用性系统、高级 TCA 系统、电信基础设施、汽车系统。
- 通过用N沟道MOSFET取代功率肖特基二极管来减少功率耗散
- 0.5µs关断时间限制了故障电流峰值
- 工作电压范围: 9V到80V
- 平滑切换无振荡
- 无反向直流电流
- 在全工作温度范围内,电源电流的典型值为0.5mA
- 输入引脚电流为350µA(VIN = VOUT ±1V),输出引脚电流为80µA(VIN = VOUT ±1V)
- 栅极关闭时间通常为300ns(VGATE - VIN <lt/> 1V,CGATE = 0pF)
- 6引脚(2mm × 3mm)塑料DFN封装,-40℃至125℃温度范围
注释
ADI 产品仅授权(和销售)给客户使用,不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
芯片功能
理想二极管控制器
电源电压最大值
80V
针脚数
6引脚
工作温度最高值
125°C
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
电源电压最小值
9V
集成电路封装类型
DFN-EP
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001