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LTC4357IMS8#TRPBF
理想二极管控制器 -40 至 85度
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY42.480 (CNY48.0024) |
| 10+ | CNY32.550 (CNY36.7815) |
| 25+ | CNY29.740 (CNY33.6062) |
| 100+ | CNY26.000 (CNY29.380) |
| 250+ | CNY24.270 (CNY27.4251) |
| 500+ | CNY23.550 (CNY26.6115) |
| 1000+ | CNY23.330 (CNY26.3629) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商产品编号LTC4357IMS8#TRPBF
库存编号4025542
技术数据表
芯片功能理想二极管控制器
电源电压最小值9V
电源电压最大值80V
集成电路封装类型MSOP
针脚数8引脚
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
LTC4357 是一款正高压理想二极管控制器，可驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。当用于二极管-OR 和高电流二极管应用时，LTC4357 可降低功耗、热耗散、电压损失和 PC 板面积。LTC4357 可轻松地OR电源，以提高系统的总体可靠性。在二极管-OR应用中，LTC4357控制着MOSFET上的正向压降，以确保电流从一个路径平滑地传输到另一个路径，而不发生振荡。如果电源发生故障或被短路，一个快速关断可将反向电流瞬变降至最低。应用包括 N + 1 冗余电源、高可用性系统、高级 TCA 系统、电信基础设施、汽车系统。
- 通过用N沟道MOSFET取代功率肖特基二极管来减少功率耗散
- 0.5µs关断时间限制了故障电流峰值
- 工作电压范围: 9V到80V
- 平滑切换无振荡
- 无反向直流电流
- 在全工作温度范围内，电源电流的典型值为0.5mA
- 输入引脚电流为350µA（VIN = VOUT ±1V），输出引脚电流为80µA（VIN = VOUT ±1V）
- 栅极关闭时间通常为300ns（VGATE - VIN <lt/> 1V，CGATE = 0pF）
- 8引脚塑料MSOP封装，-40℃至85℃温度范围
注释
ADI 产品仅授权（和销售）给客户使用，不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
芯片功能
理想二极管控制器
电源电压最大值
80V
针脚数
8引脚
工作温度最高值
85°C
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
电源电压最小值
9V
集成电路封装类型
MSOP
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00007