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LTC4373HDD#PBF
理想二极管控制器 -40 至 125度
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY84.820 (CNY95.8466) |
| 10+ | CNY66.170 (CNY74.7721) |
| 25+ | CNY48.750 (CNY55.0875) |
| 121+ | CNY46.660 (CNY52.7258) |
| 363+ | CNY41.620 (CNY47.0306) |
| 605+ | CNY41.410 (CNY46.7933) |
| 1089+ | CNY41.190 (CNY46.5447) |
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多件: 1
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产品信息
制造商产品编号LTC4373HDD#PBF
库存编号4025595
技术数据表
芯片功能理想二极管控制器
电源电压最小值2.5V
电源电压最大值80V
集成电路封装类型DFN
针脚数8引脚
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
LTC4373 是一款正高压、低静态电流的理想二极管控制器，可驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制MOSFET上的正向压降，以确保电流输送或从一个路径到另一个路径的电流转移，即使在轻度负载下也是如此。5µA的工作电流为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现了高效率。如果一个电源发生故障或被短路，一个快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LTC4373 控制背对背 N 沟道 MOSFET，用于浪涌电流控制和负载开关。它有一个用于欠压监测的 UV 引脚，而有源低电平 UVOUT 引脚提供滞后调整和状态信息。在欠压期间，背对背MOSFET被切断，静态电流降低到0.5μA。应用包括汽车电池保护、冗余电源、便携式仪器、太阳能供电系统、能量采集应用和电源保持。
- 通过替换功率肖特基二极管来减少功率耗散
- 宽工作电压范围: 2.5V到80V
- 反向供电保护至-28V
- 无需TVS输入夹
- 高压侧外部N沟道MOSFET驱动
- 用于ON/OFF控制的关断输入
- 在1.5µs内快速反向电流关闭
- 8引脚塑料DFN封装
- 温度范围: -40°C到125°C
注释
ADI 产品仅授权（和销售）给客户使用，不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
芯片功能
理想二极管控制器
电源电压最大值
80V
针脚数
8引脚
工作温度最高值
125°C
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
电源电压最小值
2.5V
集成电路封装类型
DFN
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001