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LTC4442IMS8E#PBF
栅极驱动器, 2 放大器, 高压侧或低压侧, MOSFET, 8 引脚, MSOP
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|---|---|
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| 10+ | CNY27.450 (CNY31.0185) |
| 50+ | CNY21.400 (CNY24.182) |
| 100+ | CNY19.470 (CNY22.0011) |
| 250+ | CNY17.390 (CNY19.6507) |
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| 2500+ | CNY15.710 (CNY17.7523) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商产品编号LTC4442IMS8E#PBF
库存编号4018574
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置高压侧或低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装MSOP
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流5A
灌电流2.4A
电源电压最小值6V
电源电压最大值9.5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
输入延迟20ns
输出延迟12ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
LTC®4442 是一款高频栅极驱动器，旨在驱动同步降压 DC/DC 转换器拓扑结构中的两个 N 沟道 MOSFET。其强大的驱动能力降低了具有高栅极电容的 MOSFET 的开关损耗。其特点是为输入逻辑提供单独的电源，以匹配控制器IC的信号摆动。如果输入信号没有被驱动，这将激活一个关闭模式，关断两个外部MOSFET。输入逻辑信号在内部被平移到自举电源，自举电源可以在高于地面42V的电压下工作。应用包括分布式电源架构、高密度电源模块。
- 自适应击穿保护，独立供电以匹配PWM控制器
- 驱动双N沟道MOSFET，欠压锁定
- 工作范围从3到9.5V（TA = 25°C）
- 典型的直流电源电流为730μA（IN=浮动，TA=25℃）
- 典型的欠压锁定阈值是2.75V（VLOGIC上升，TA=25℃）
- 典型的直流电源电流为300μA（IN=浮动，TA=25℃）
- 典型的欠压锁定阈值是3.20V（VCC上升，TA=25℃）
- 8引脚塑料MSOP封装
- 温度额定范围: -40°C到85°C
注释
ADI 产品仅授权（和销售）给客户使用，不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧或低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
5A
电源电压最小值
6V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
20ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
MSOP
输入类型
非反向
灌电流
2.4A
电源电压最大值
9.5V
工作温度最高值
85°C
输出延迟
12ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001