打印页面
18 有货
需要更多?
18 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
1+ | CNY42.020 (CNY47.4826) |
10+ | CNY29.870 (CNY33.7531) |
50+ | CNY26.060 (CNY29.4478) |
100+ | CNY23.940 (CNY27.0522) |
250+ | CNY21.450 (CNY24.2385) |
500+ | CNY21.030 (CNY23.7639) |
1000+ | CNY20.600 (CNY23.278) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY42.02 (CNY47.48 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
LTC4446 是一款高频高压栅极驱动器,可驱动 DC/DC 转换器中的两个 N 沟道 MOSFET,电源电压高达 100V。强大的驱动能力可降低具有高栅电容的 MOSFET 的开关损耗。该器件顶部栅极驱动器的上拉输出电流峰值为 2.5A,下拉输出阻抗为 1.2 ohm。底部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为 3A,下拉输出阻抗为 0.55 ohm。它配置了两个独立于电源的输入。高电平输入逻辑信号通过内部电平转换到自举电源,可在高达 114V 的电压下工作。它包含欠压锁定电路,激活后可禁用外部 MOSFET。它被广泛应用于分布式电源架构、汽车电源、高密度电源模块、电信系统等。
- 宽 VCC 电压为 7.2V 至 13.5V
- 在(TA = 25°C,VCC = VBOOST = 12V)时,TG 峰值上拉电流为 2.5A(典型值)
- 在(TA = 25°C,VCC = VBOOST = 12V)时,BG 峰值上拉电流为 3A(典型值)
- 同时驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
- 欠压锁定
- 在(10% - 90%,CL = 1nF,TA = 25°C,VCC = VBOOST = 12V)时,TG 输出下降时间为 5ns(典型值)
- 在 (10% - 90%、CL = 1nF、TA = 25°C、VCC = VBOOST = 12V) 时,TG 输出上升时间为 8ns(典型值)
- 在 (10% - 90%、CL = 1nF、TA = 25°C、VCC = VBOOST = 12V) 时,BG 输出上升时间为 6ns(典型值)
- 在(10% - 90%,CL = 1nF,TA = 25°C,VCC = VBOOST = 12V)时,BG 输出下降时间为 3ns(典型值)
- 工作温度为-40°C至85°C,封装样式为8引脚塑料MSOP
注释
ADI 产品仅授权(和销售)给客户使用,不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧或低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
3A
电源电压最小值
7.2V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
25ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
MSOP
输入类型
非反向
灌电流
3A
电源电压最大值
13.5V
工作温度最高值
85°C
输出延迟
22ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001