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| 数量 | 价钱 (含税) | 
|---|---|
| 1+ | CNY51.950 (CNY58.7035) | 
| 10+ | CNY34.490 (CNY38.9737) | 
| 50+ | CNY27.120 (CNY30.6456) | 
| 100+ | CNY24.770 (CNY27.9901) | 
| 250+ | CNY22.240 (CNY25.1312) | 
| 500+ | CNY20.830 (CNY23.5379) | 
| 1000+ | CNY20.420 (CNY23.0746) | 
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商产品编号LTC4446IMS8E#PBF
库存编号4018584
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧或低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装MSOP
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流3A
灌电流3A
电源电压最小值7.2V
电源电压最大值13.5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
输入延迟25ns
输出延迟22ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
LTC4446 是一款高频高压栅极驱动器,可驱动 DC/DC 转换器中的两个 N 沟道 MOSFET,电源电压高达 100V。强大的驱动能力可降低具有高栅电容的 MOSFET 的开关损耗。该器件顶部栅极驱动器的上拉输出电流峰值为 2.5A,下拉输出阻抗为 1.2 ohm。底部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为 3A,下拉输出阻抗为 0.55 ohm。它配置了两个独立于电源的输入。高电平输入逻辑信号通过内部电平转换到自举电源,可在高达 114V 的电压下工作。它包含欠压锁定电路,激活后可禁用外部 MOSFET。它被广泛应用于分布式电源架构、汽车电源、高密度电源模块、电信系统等。
- 宽 VCC 电压为 7.2V 至 13.5V
- 在(TA = 25°C,VCC = VBOOST = 12V)时,TG 峰值上拉电流为 2.5A(典型值)
- 在(TA = 25°C,VCC = VBOOST = 12V)时,BG 峰值上拉电流为 3A(典型值)
- 同时驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
- 欠压锁定
- 在(10% - 90%,CL = 1nF,TA = 25°C,VCC = VBOOST = 12V)时,TG 输出下降时间为 5ns(典型值)
- 在 (10% - 90%、CL = 1nF、TA = 25°C、VCC = VBOOST = 12V) 时,TG 输出上升时间为 8ns(典型值)
- 在 (10% - 90%、CL = 1nF、TA = 25°C、VCC = VBOOST = 12V) 时,BG 输出上升时间为 6ns(典型值)
- 在(10% - 90%,CL = 1nF,TA = 25°C,VCC = VBOOST = 12V)时,BG 输出下降时间为 3ns(典型值)
- 工作温度为-40°C至85°C,封装样式为8引脚塑料MSOP
注释
ADI 产品仅授权(和销售)给客户使用,不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧或低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
3A
电源电压最小值
7.2V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
25ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
MSOP
输入类型
非反向
灌电流
3A
电源电压最大值
13.5V
工作温度最高值
85°C
输出延迟
22ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001