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LTC4449EDCB#TRMPBF
栅极驱动器, 2 放大器, 高压侧或低压侧, MOSFET, 8 引脚, DFN-EP
产品信息
制造商产品编号LTC4449EDCB#TRMPBF
库存编号4018585RL
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置高压侧或低压侧
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装DFN-EP
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流4.5A
灌电流3.2A
电源电压最小值4V
电源电压最大值6.5V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟14ns
输出延迟11ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
LTC®4449 是一款高频栅极驱动器，旨在驱动一个同步 DC/DC 转换器中的两个 N 沟道 MOSFET。其强大的轨至轨驱动能力降低了具有高栅极电容的 MOSFET 的开关损耗。其特点是为输入逻辑提供单独的电源，以匹配控制器IC的信号摆动。如果输入信号未被驱动，LTC4449 将激活一个关断模式，从而关闭两个外部 MOSFET。输入逻辑信号在内部被平移到自举电源，该电源在高于地面 42V 的电压下工作。应用包括分布式电源架构、高密度电源模块。
- 自适应击穿保护，轨至轨输出驱动器，欠压锁定
- 与PWM控制器相匹配的独立电源，驱动双N沟道MOSFET
- 工作范围为3至6.5V（TA=25℃，VCC=VLOGIC=VBOOST=5V）
- 典型的直流电源电流为730μA（IN=浮动，TA=25℃）
- 典型的欠压锁定阈值是2.75V（VLOGIC上升，TA=25℃）
- 典型的TG高输出电压为140mV（ITG=-100mA，VOH(TG)=VBOOST-VTG，TA=25℃）
- 典型的BG低电平到TG高电平的传播延迟为14ns（TA = 25°C）
- 典型的TG输出上升时间为8ns（10%至90%，CL=3nF，TA=25℃）
- 8引脚塑料DFN封装
- 温度额定范围: -40°C到125°C
注释
ADI 产品仅授权（和销售）给客户使用，不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧或低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
4.5A
电源电压最小值
4V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
14ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
DFN-EP
输入类型
非反向
灌电流
3.2A
电源电压最大值
6.5V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
11ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001