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| 10+ | CNY24.070 (CNY27.1991) |
| 37+ | CNY19.500 (CNY22.035) |
| 111+ | CNY16.690 (CNY18.8597) |
| 259+ | CNY15.000 (CNY16.950) |
| 518+ | CNY13.860 (CNY15.6618) |
| 2516+ | CNY13.280 (CNY15.0064) |
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产品信息
制造商产品编号LTC7060EMSE#WPBF
库存编号4033357
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置半桥
电源开关类型MOSFET
针脚数12引脚
IC 外壳 / 封装MSOP
芯片安装表面安装
输入类型PWM
拉电流-
灌电流-
电源电压最小值6V
电源电压最大值14V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟32ns
输出延迟17ns
产品范围-
合规AEC-Q100
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET,电源电压高达 100V。高压侧和低压侧驱动器都可以用不同的接地基准来驱动MOSFET,从而提供出色的噪声和瞬态抗扰度。其强大的0.8ohm下拉和1.5ohm上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET。其他功能包括欠压锁定(UVLO)、三态PWM输入、可调开启/关闭延迟和击穿保护。应用包括汽车和工业电源系统、电信电源系统、半桥和全桥转换器。
- 独特的对称浮动门驱动器架构,符合汽车应用的AEC-Q100标准
- 高抗噪能力,可容输入和输出接地之间的±10V接地差
- 100V的最大输入电压,与IC电源电压无关 VCC
- 6V至14V VCC工作电压,4V至14V栅极驱动电压
- 0.8ohm下拉,1.5ohm上拉,用于快速开启/关闭
- 自适应击穿保护,可编程死区时间
- 三态PWM输入,带有使能引脚,VCC UVLO/OVLO和浮动电源UVLO
- 驱动双N沟道MOSFET,开漏故障指示器
- 击穿保护,115V绝对最大电压,5.3V VCC下降UVLO
- 12引脚塑料MSSOP封装,-40℃至125℃温度范围
注释
ADI 产品仅授权(和销售)给客户使用,不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
12引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
-
电源电压最小值
6V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
32ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
MSOP
输入类型
PWM
灌电流
-
电源电压最大值
14V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
17ns
合规
AEC-Q100
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001