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MXD1210CPA+
存储器NVRAM控制器, 1 RAM控制, 5V电源, DIP-8
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY68.580 (CNY77.4954) |
| 10+ | CNY63.690 (CNY71.9697) |
| 50+ | CNY60.250 (CNY68.0825) |
| 100+ | CNY58.780 (CNY66.4214) |
| 250+ | CNY56.860 (CNY64.2518) |
| 500+ | CNY55.430 (CNY62.6359) |
| 1000+ | CNY54.020 (CNY61.0426) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商产品编号MXD1210CPA+
库存编号2799397
技术数据表
控制RAM数量1
额定电源电压5V
控制器芯片封装类型PDIP
针脚数8引脚
工作温度最小值0°C
工作温度最高值70°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
MXD1210CPA+非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。该器件持续监测电源状态，当RAM供电处于临界（超出容差）条件时自动提供写保护功能。当电源开始故障时，RAM将进入写保护状态，设备自动切换至电池备份模式。典型应用包括微处理器系统、计算机及嵌入式系统。
- 电池备份，内存写保护
- 230µA工作模式静态电流
- 2nA 备用模式静态电流
- 电池新鲜度密封
- 可选冗余电池
- VCC电源开关正向压降低
- 5% 或 10% 电源故障检测选项
- 上电时检测电池状态
- TOL=GND时供电电压4.75V至5.50V，VBATT1=VBATT2=3V时典型供电电流0.23mA
- 0°C 至 +70°C 温度范围，8 PDIP 封装
注释
ADI 产品仅授权（和销售）给客户使用，不得转售或以其他方式转给任何第三方
技术规格
控制RAM数量
1
控制器芯片封装类型
PDIP
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
额定电源电压
5V
针脚数
8引脚
工作温度最高值
70°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002722