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AFBR-S4N44P014M
硅光电倍增管，3.72 mm × 3.62 mm，40 µm/8334 微单元，420 nm，SMD，5 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY215.920 (CNY243.9896) |
| 10+ | CNY174.280 (CNY196.9364) |
| 25+ | CNY165.900 (CNY187.467) |
| 50+ | CNY157.510 (CNY177.9863) |
| 100+ | CNY149.120 (CNY168.5056) |
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产品信息
制造商BROADCOM
制造商产品编号AFBR-S4N44P014M
库存编号4236230
技术数据表
传感器类型硅光电倍增管
产品范围-
阵列格式-
活动区域尺寸3.72mm x 3.62mm
Microcell数量8334Microcells
电路板尺寸-
Microcell大小40µm
最佳波长420nm
传感器外壳/封装-
针脚数5引脚
工作温度最小值-20°C
工作温度最高值60°C
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (12-Jan-2017)
产品概述
AFBR-S4N44P014M 是一款 Broadcom® NUV-MT 单通道硅光电倍增管，用于单光子的超灵敏精密测量。该 SiPM 基于 NUV-MT 技术，与 NUV-HD 技术相比，该技术结合了更高的光检测效率 (PDE)、更低的暗计数率和更小的串扰。SPAD 间距为 40 微米。通过将多个 AFBRS4N66P014M SiPM 拼接在一起，可以覆盖更大的区域。环氧树脂透明模具化合物实现了封装，具有良好的机械稳定性和坚固性，在紫外线波长以下高度透明，在可见光光谱中具有广泛的响应，对光谱中的蓝光和近紫外光区域具有高灵敏度。其应用包括 X 射线和伽马射线探测、核医学、正电子发射断层扫描、安全和安保、物理实验以及Cherenkov探测。
- 高 PDE（420 nm波长时为 63%），4 面，具有高填充因子
- 单元间距为 40μm，高透明度环氧树脂保护层
- 出色的 SPTR 和 CRT，器件之间击穿电压和增益的一致性极佳
- 光谱范围从 250 nm到 900 nm（12V OV 和 25°C）
- 峰值灵敏度波长为 420nm（典型值，12V OV 和 25°C）
- 击穿电压范围为 32 至 33V（12V OV 和 25°C）
- 击穿电压的温度系数为 30mV/°C（典型值，12V OV 和 25°C）
- 增益为 7.3×10⁶（典型值，12V OV 和 25°C），光串扰为 23%（典型值，12V OV 和 25°C）
- 标称终端电容为 580pF（典型值，12V OV 和 25°C）
- 工作温度范围: -20°C到+60°C
技术规格
传感器类型
硅光电倍增管
阵列格式
-
Microcell数量
8334Microcells
Microcell大小
40µm
传感器外壳/封装
-
工作温度最小值
-20°C
合规
-
产品范围
-
活动区域尺寸
3.72mm x 3.62mm
电路板尺寸
-
最佳波长
420nm
针脚数
5引脚
工作温度最高值
60°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (12-Jan-2017)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001