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DMTH4014LPD-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 43.6 A, 43.6 A, 0.015 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMTH4014LPD-13
库存编号3944172RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续43.6A
连续漏极电流 Id N沟道43.6A
在电阻RDS（上）0.0118ohm
连续漏极电流 Id P沟道43.6A
漏源通态电阻N沟道0.015ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道-
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PowerDI5060
阈值栅源电压最大值1.3V
功耗 Pd42.8W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道42.8W
耗散功率P沟道42.8W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
43.6A
连续漏极电流 Id P沟道
43.6A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.3V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
42.8W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
43.6A
在电阻RDS（上）
0.0118ohm
漏源通态电阻N沟道
0.015ohm
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
PowerDI5060
功耗 Pd
42.8W
耗散功率N沟道
42.8W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001