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6.1A 双MOSFET:
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漏源电压Vds N沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
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晶体管封装类型
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针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY4.200 (CNY4.746)500+ CNY3.280 (CNY3.7064)1000+ CNY2.990 (CNY3.3787) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道 | N通道 | 60V | 60V | 60V | 6.1A | 0.033ohm | 6.1A | 6.1A | 0.033ohm | 表面安装 | 0.033ohm | 10V | SOIC | 3V | 8引脚 | 2.8W | 2.8W | 2.8W | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.230 (CNY2.5199)500+ CNY1.730 (CNY1.9549)1000+ CNY1.390 (CNY1.5707)5000+ CNY1.180 (CNY1.3334) | 最少：100 / 多个：5 | 互补N与P沟道 | 互补N与P沟道 | 12V | 12V | 12V | 6.1A | 0.017ohm | 6.1A | 6.1A | 0.017ohm | 表面安装 | 0.017ohm | 4.5V | TSOT-26 | 1V | 6引脚 | 1.2W | 1.2W | 1.2W | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.630 (CNY2.9719)500+ CNY2.010 (CNY2.2713)1000+ CNY1.510 (CNY1.7063)5000+ CNY1.410 (CNY1.5933) | 最少：100 / 多个：5 | N沟道 | N通道 | 20V | 20V | 20V | 6.1A | 0.017ohm | 6.1A | 6.1A | 0.017ohm | 表面安装 | 0.017ohm | 4.5V | U-DFN3030 | 1.05V | 8引脚 | 920mW | 920mW | 920mW | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.530 (CNY3.9889) | 最少：500 / 多个：5 | 互补N与P沟道 | 互补N与P沟道 | 40V | 40V | 40V | 6.1A | 0.02ohm | 6.1A | 6.1A | - | 表面安装 | - | 10V | SOIC | 2V | 8引脚 | 2W | 2W | 2W | 150°C | |||||
