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SI4946CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4946CDY-T1-GE3
库存编号2846626RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续6.1A
在电阻RDS（上）0.033ohm
连续漏极电流 Id N沟道6.1A
连续漏极电流 Id P沟道6.1A
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd2.8W
耗散功率N沟道2.8W
耗散功率P沟道2.8W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
产品概述
Dual N-channel 60V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converter, load switch, inverters and circuit protection applications.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.033ohm
连续漏极电流 Id P沟道
6.1A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
2.8W
耗散功率P沟道
2.8W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
0
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
6.1A
连续漏极电流 Id N沟道
6.1A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001