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SIZ200DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 61 A, 61 A, 0.0045 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ200DT-T1-GE3
库存编号2990577RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续61A
连续漏极电流 Id N沟道61A
在电阻RDS（上）0.0045ohm
连续漏极电流 Id P沟道61A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0045ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.0045ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
阈值栅源电压最大值2.4V
功耗 Pd33W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道33W
耗散功率P沟道33W
工作温度最高值150°C
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
61A
连续漏极电流 Id P沟道
61A
漏源通态电阻N沟道
0.0045ohm
漏源导通电阻P沟道
0.0045ohm
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
33W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
61A
在电阻RDS（上）
0.0045ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAIR
功耗 Pd
33W
耗散功率N沟道
33W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003