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FDMD8680
双路场效应管, MOSFET, PowerTrench, N通道, 80 V, 80 V, 66 A, 66 A, 3300 µohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMD8680
库存编号2617742RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds80V
漏源电压Vds N沟道80V
电流, Id 连续66A
漏源电压Vds P沟道80V
在电阻RDS（上）0.0033ohm
连续漏极电流 Id N沟道66A
连续漏极电流 Id P沟道66A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道3300µohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道3300µohm
阈值栅源电压最大值3V
晶体管封装类型PQFN
功耗 Pd39W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道39W
耗散功率P沟道39W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (23-Jan-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
80V
电流, Id 连续
66A
在电阻RDS（上）
0.0033ohm
连续漏极电流 Id P沟道
66A
漏源通态电阻N沟道
3300µohm
漏源导通电阻P沟道
3300µohm
晶体管封装类型
PQFN
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
39W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (23-Jan-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
80V
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
66A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
39W
耗散功率N沟道
39W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000378