800mA 双MOSFET:

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晶体管极性
通道类型
漏源电压Vds N沟道
漏源电压, Vds
漏源电压Vds P沟道
电流, Id 连续
在电阻RDS(上)
连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
产品范围
合规
汽车质量标准
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
3470705RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY2.130
(CNY2.4069)
500+
CNY2.100
(CNY2.373)
1000+
CNY2.070
(CNY2.3391)
5000+
CNY2.070
(CNY2.3391)
最少:100 / 多个:1
N沟道
N通道
20V
20V
20V
800mA
0.2ohm
800mA
800mA
0.2ohm
表面安装
0.2ohm
4.5V
SC-70
600mV
6引脚
1.5W
1.5W
1.5W
175°C
TrenchFET Series
AEC-Q101
AEC-Q101
3585614RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY1.610
(CNY1.8193)
500+
CNY1.190
(CNY1.3447)
1000+
CNY0.780
(CNY0.8814)
5000+
CNY0.756
(CNY0.8543)
最少:100 / 多个:5
N沟道
N通道
20V
20V
20V
800mA
0.29ohm
800mA
800mA
0.29ohm
表面安装
0.29ohm
4.5V
SOT-666
750mV
6引脚
500mW
500mW
500mW
150°C
Trench Series
AEC-Q101
AEC-Q101
3828408RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
500+
CNY0.621
(CNY0.7017)
1000+
CNY0.533
(CNY0.6023)
5000+
CNY0.444
(CNY0.5017)
最少:500 / 多个:5
N沟道
N通道
20V
20V
20V
800mA
0.15ohm
800mA
800mA
0.15ohm
表面安装
0.15ohm
4.5V
SOT-363
1V
6引脚
490mW
490mW
490mW
150°C
-
-
-
3944181RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY5.580
(CNY6.3054)
500+
CNY5.210
(CNY5.8873)
1000+
CNY4.820
(CNY5.4466)
5000+
CNY4.430
(CNY5.0059)
最少:100 / 多个:1
补充双N和双P沟道
补充双N和双P沟道
100V
100V
100V
800mA
0.7ohm
800mA
800mA
0.7ohm
表面安装
0.7ohm
10V
SOIC
4V
8引脚
870mW
870mW
870mW
150°C
-
-
-
1-4 项,共 4 项
,共 1 页

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