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PMDT290UNEH
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMDT290UNEH
库存编号3585614RL
产品范围Trench Series
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续800mA
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.29ohm
连续漏极电流 Id N沟道800mA
连续漏极电流 Id P沟道800mA
漏源通态电阻N沟道0.29ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.29ohm
晶体管封装类型SOT-666
阈值栅源电压最大值750mV
功耗 Pd500mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道500mW
耗散功率P沟道500mW
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
800mA
在电阻RDS（上）
0.29ohm
连续漏极电流 Id P沟道
800mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.29ohm
阈值栅源电压最大值
750mV
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
500mW
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
800mA
漏源通态电阻N沟道
0.29ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-666
功耗 Pd
500mW
耗散功率N沟道
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001