42V 双MOSFET:

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漏源电压Vds N沟道
漏源电压, Vds
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电流, Id 连续
在电阻RDS(上)
连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
汽车质量标准
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
2533221

RoHS

单件(切割供应)
切割卷带
5+
CNY14.990
(CNY16.9387)
50+
CNY8.770
(CNY9.9101)
100+
CNY7.240
(CNY8.1812)
500+
CNY5.820
(CNY6.5766)
1000+
CNY5.280
(CNY5.9664)
最少:5 / 多个:5
-
N通道
42V
-
42V
-
-
2A
2A
0.165ohm
-
0.165ohm
-
SOIC
-
8引脚
-
1.62W
1.62W
150°C
-
2533221RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY7.240
(CNY8.1812)
500+
CNY5.820
(CNY6.5766)
1000+
CNY5.280
(CNY5.9664)
最少:100 / 多个:1
N沟道
N通道
42V
42V
42V
2A
0.165ohm
2A
2A
0.165ohm
表面安装
0.165ohm
10V
SOIC
1.8V
8引脚
1.62W
1.62W
1.62W
150°C
AEC-Q101
2985521

RoHS

单件(整卷供应)
整卷
包装选项
2500+
CNY5.180
(CNY5.8534)
7500+
CNY4.540
(CNY5.1302)
最少:2500 / 多个:2500
-
N通道
42V
-
42V
-
-
2A
2A
0.165ohm
-
0.165ohm
-
SOIC
-
8引脚
-
1.62W
1.62W
150°C
-
1-3 项,共 3 项
,共 1 页

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