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NCV8402ADDR2G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 42 V, 42 V, 2 A, 2 A, 0.165 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NCV8402ADDR2G
库存编号2533221RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds42V
漏源电压Vds N沟道42V
电流, Id 连续2A
漏源电压Vds P沟道42V
连续漏极电流 Id N沟道2A
在电阻RDS（上）0.165ohm
连续漏极电流 Id P沟道2A
漏源通态电阻N沟道0.165ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.165ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.8V
功耗 Pd1.62W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.62W
耗散功率P沟道1.62W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
42V
电流, Id 连续
2A
连续漏极电流 Id N沟道
2A
连续漏极电流 Id P沟道
2A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.62W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
42V
漏源电压Vds P沟道
42V
在电阻RDS（上）
0.165ohm
漏源通态电阻N沟道
0.165ohm
漏源导通电阻P沟道
0.165ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
1.62W
耗散功率N沟道
1.62W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001