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SI7956DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 150 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.088 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7956DP-T1-GE3
库存编号3772789RL
产品范围Trench Series
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
漏源电压Vds N沟道150V
电流, Id 连续2.6A
漏源电压Vds P沟道150V
连续漏极电流 Id N沟道2.6A
在电阻RDS（上）0.088ohm
连续漏极电流 Id P沟道2.6A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.088ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.088ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
阈值栅源电压最大值3.1V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.4W
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
150V
电流, Id 连续
2.6A
连续漏极电流 Id N沟道
2.6A
连续漏极电流 Id P沟道
2.6A
漏源通态电阻N沟道
0.088ohm
漏源导通电阻P沟道
0.088ohm
阈值栅源电压最大值
3.1V
功耗 Pd
1.4W
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
150V
漏源电压Vds P沟道
150V
在电阻RDS（上）
0.088ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAK SO
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000234