双MOSFET:

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晶体管极性
通道类型
漏源电压Vds N沟道
漏源电压, Vds
漏源电压Vds P沟道
电流, Id 连续
在电阻RDS(上)
连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
Rds(on)测试电压
晶体管封装类型
阈值栅源电压最大值
针脚数
功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
产品范围
合规
汽车质量标准
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
2709539RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY2.670
(CNY3.0171)
500+
CNY2.280
(CNY2.5764)
1000+
CNY1.910
(CNY2.1583)
最少:100 / 多个:1
互补N与P沟道
互补N与P沟道
30V
30V
30V
9A
0.012ohm
9A
9A
0.012ohm
表面安装
0.012ohm
10V
PowerDI3333
2V
8引脚
1.3W
1.3W
1.3W
150°C
-
-
-
2543513RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY2.540
(CNY2.8702)
500+
CNY1.940
(CNY2.1922)
1000+
CNY1.680
(CNY1.8984)
最少:100 / 多个:1
N沟道
N通道
30V
30V
30V
7.5A
0.012ohm
7.5A
7.5A
0.012ohm
表面安装
0.012ohm
10V
SOIC
1.6V
8引脚
1.5W
1.5W
1.5W
150°C
-
-
-
3580406RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY10.150
(CNY11.4695)
250+
CNY9.760
(CNY11.0288)
500+
CNY8.580
(CNY9.6954)
1000+
CNY7.540
(CNY8.5202)
最少:100 / 多个:1
N和P沟道
N和P沟道
30V
30V
30V
9A
0.012ohm
9A
9A
0.012ohm
表面安装
0.012ohm
10V
SOP
2.5V
8引脚
2W
2W
2W
150°C
-
AEC-Q101
AEC-Q101
3772870RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY5.000
(CNY5.650)
500+
CNY4.070
(CNY4.5991)
1000+
CNY3.640
(CNY4.1132)
最少:100 / 多个:1
N沟道
N通道
60V
60V
60V
23A
0.012ohm
23A
23A
0.012ohm
表面安装
0.012ohm
10V
PowerPAK SO
2V
4引脚
25W
25W
25W
175°C
TrenchFET Series
AEC-Q101
AEC-Q101
3944036RL

RoHS

单件(切割供应)
复卷
包装选项
100+
CNY2.700
(CNY3.051)
500+
CNY2.060
(CNY2.3278)
1000+
CNY1.850
(CNY2.0905)
5000+
CNY1.390
(CNY1.5707)
最少:100 / 多个:1
互补N与P沟道
互补N与P沟道
30V
30V
30V
8.2A
0.012ohm
8.2A
8.2A
0.012ohm
表面安装
0.012ohm
10V
SOIC
3V
8引脚
1.6W
1.6W
1.6W
150°C
-
-
-
1-5 项,共 5 项
,共 1 页

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