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SP8M4HZGTB
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SP8M4HZGTB
库存编号3580406RL
技术数据表
通道类型N和P沟道
晶体管极性N和P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续9A
连续漏极电流 Id N沟道9A
在电阻RDS（上）0.012ohm
连续漏极电流 Id P沟道9A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.012ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.012ohm
晶体管封装类型SOP
阈值栅源电压最大值2.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
9A
连续漏极电流 Id P沟道
9A
漏源通态电阻N沟道
0.012ohm
漏源导通电阻P沟道
0.012ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
晶体管极性
N和P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
9A
在电阻RDS（上）
0.012ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOP
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005