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VT6M1T2CR
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 100 mA, 100 mA, 2.5 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号VT6M1T2CR
库存编号2706721RL
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续100mA
连续漏极电流 Id N沟道100mA
在电阻RDS（上）2.5ohm
连续漏极电流 Id P沟道100mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道2.5ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道2.5ohm
晶体管封装类型VMT
阈值栅源电压最大值1V
针脚数6引脚
功耗 Pd150mW
耗散功率N沟道150mW
耗散功率P沟道150mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
100mA
连续漏极电流 Id P沟道
100mA
漏源通态电阻N沟道
2.5ohm
漏源导通电阻P沟道
2.5ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
150mW
耗散功率P沟道
150mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
100mA
在电阻RDS（上）
2.5ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
VMT
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
150mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536