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IAUTN08S5N012LATMA1
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 80 V, 300 A, 0.00115 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY44.220 (CNY49.9686) |
| 10+ | CNY35.040 (CNY39.5952) |
| 100+ | CNY28.360 (CNY32.0468) |
| 500+ | CNY26.670 (CNY30.1371) |
| 1000+ | CNY22.850 (CNY25.8205) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUTN08S5N012LATMA1
库存编号4573805
产品范围OptiMOS 5 Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道300A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.00115ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型HSOF
针脚数8引脚
耗散功率N沟道375W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 5 Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
OptiMOS 5 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
300A
漏源通态电阻N沟道
0.00115ohm
晶体管封装类型
HSOF
耗散功率N沟道
375W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001